У своєму напівпровіднику число збуджених електронів у зоні провідності точно дорівнює числу дірок, що залишилися у валентній зоні. У своєму напівпровіднику рівень Фермі розташований біля середини забороненої зони. У своєму напівпровіднику рівень Фермі розташований близько середини забороненої зони.
Рівень Фермі у вироджених напівпровідниках. Поки що концентрація домішки не дуже велика і донорний домішок рівень вузький і розташований поблизу зони провідності, рівень Фермі знаходиться у забороненій зоні на відстані від дна зони провідності (рис. 53 а).
Для електронного газу в металах за Т = 0 величина енергії Фермі однозначно визначається концентрацією електронів та її можна виразити через число n частинок електронного газу в одиниці об'єму: залежність енергії Фермі від концентрації електронів нелінійна.
Рівень Фермі в донорному напівпровіднику зміщується вгору за шкалою енергії, причому це зміщення більше при низьких температурах, коли концентрація вільних електронів значно перевищує кількість дірок.